BSM25GD120DN2BOSA1

BSM25GD120DN2BOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSM25GD120DN2BOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1797 pcs
Precio de referencia
USD 91.573/pcs
Nuestro precio
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BSM25GD120DN2BOSA1 Descripción detallada

Número de pieza BSM25GD120DN2BOSA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT -
Configuración Full Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Potencia - Max 200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Corriente - corte de colector (máximo) 800µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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