BSM25GD120DN2BOSA1

BSM25GD120DN2BOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSM25GD120DN2BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1797 pcs
Referenzpreis
USD 91.573/pcs
Unser Preis
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BSM25GD120DN2BOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSM25GD120DN2BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 35A
Leistung max 200W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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