| Número de pieza | BSC016N04LS G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | Detalles |
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BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | Detalles |
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BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Detalles |
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BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | Detalles |
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BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Detalles |
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | Detalles |
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BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | Detalles |
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BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | Detalles |
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BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | Detalles |
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BSC011N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Detalles |
