64-9146 - Infineon Technologies

Número de pieza	64-9146
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	32A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6580pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MT
Paquete / caja	DirectFET™ Isometric MT
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
64-0007	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB	Detalles
64-0055PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-220AB	Detalles
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64-135/R6GHBHC-A01/2T	EVERLIGHT	Luminosity Full Color LED	Detalles
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