64-0055PBF - Infineon Technologies

Número de pieza	64-0055PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4520pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 75A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / caja	-
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	64-0007	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB	Detalles
	64-0055PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-220AB	Detalles