64-0055PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	64-0055PBF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4520pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	230W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	64-0007	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB	Einzelheiten
	64-0055PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-220AB	Einzelheiten