2N7002DW L6327 - Infineon Technologies

Número de pieza: 2N7002DW L6327
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	2N7002DW L6327
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 25V
Potencia - Max	500mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT363-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Detalles
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2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Detalles
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2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Detalles
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