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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GA04JT17-247
GA04JT17-247

GA04JT17-247 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
GA04JT17-247
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GA04JT17-247 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
GA04JT17-247.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
65 pcs
Precio de referencia
USD 31.92/pcs
Nuestro precio
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GA04JT17-247 Descripción detallada

Número de pieza GA04JT17-247
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc) (95°C)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 4A
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AB
Paquete / caja TO-247-3
Peso -
País de origen -

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