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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › EPC8009ENGR
EPC8009ENGR

EPC8009ENGR - EPC

Número de pieza
EPC8009ENGR
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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Descargar hoja de datos en PDF
EPC8009ENGR.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3562 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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EPC8009ENGR Descripción detallada

Número de pieza EPC8009ENGR
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 65V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.1A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.38nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 32.5V
Vgs (Max) +6V, -5V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 138 mOhm @ 500mA, 5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso -
País de origen -

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