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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT - EPC

Número de pieza
EPC2100ENGRT
Fabricante
EPC
Breve descripción
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2100ENGRT Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
16250 pcs
Precio de referencia
USD 5.1832/pcs
Nuestro precio
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EPC2100ENGRT Descripción detallada

Número de pieza EPC2100ENGRT
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.5A (Tj), 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Peso -
País de origen -

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