ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMHC10A07T8TA
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	ZXMHC10A07T8TA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A, 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V
Potencia - Max	1.3W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-223-8
Paquete de dispositivo del proveedor	SM8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
ZXMHC10A07N8	DIODES	100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge	Detalles
ZXMHC10A07N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC	Detalles
ZXMHC10A07T8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8	Detalles
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ZXMHC3A01N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC	Detalles
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ZXMHC6A07N8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC	Detalles
ZXMHC6A07T8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8	Detalles