ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC - Diodes Incorporated

Número de pieza
ZXM66P02N8TC
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3672 pcs
Precio de referencia
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ZXM66P02N8TC Descripción detallada

Número de pieza ZXM66P02N8TC
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2068pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
País de origen -

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