Número de pieza | ZXM66P02N8TC |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.4A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2068pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 1.56W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | - |
País de origen | - |