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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › ZXM61P02FTC
ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC - Diodes Incorporated

Número de pieza
ZXM61P02FTC
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
ZXM61P02FTC Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4068 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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ZXM61P02FTC Descripción detallada

Número de pieza ZXM61P02FTC
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 900mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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