S2BA-13-F - Diodes Incorporated

Número de pieza	S2BA-13-F
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1.5A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.15V @ 1.5A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivo del proveedor	SMA
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S2B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
S2B M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
S2B R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA	Detalles
S2B-002	VISHAY	S2B-002 VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks	Detalles
S2B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB	Detalles
S2B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB	Detalles
S2B-E3	VISHAY	S2B-E3 VISHAY SMB New Original Stocks	Detalles
S2B-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA	Detalles
S2B-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA	Detalles
S2B-EH	JST Sales America Inc.	CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM	Detalles