| Artikelnummer | S2BA-13-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | SMA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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S2B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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S2B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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S2B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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S2B-002 | VISHAY | S2B-002 VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
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S2B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | Einzelheiten |
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S2B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | Einzelheiten |
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S2B-E3 | VISHAY | S2B-E3 VISHAY SMB New Original Stocks | Einzelheiten |
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S2B-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | Einzelheiten |
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S2B-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | Einzelheiten |
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S2B-EH | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM | Einzelheiten |
