DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMT8012LSS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
12500 pcs
Precio de referencia
USD 0.4025/pcs
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DMT8012LSS-13 Descripción detallada

Número de pieza DMT8012LSS-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
País de origen -

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