DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMT8012LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMT8012LSS-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.4025/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMT8012LSS-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMT8012LSS-13