DMN21D2UFB-7B - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN21D2UFB-7B
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 25000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0806/pcs
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Número de pieza	DMN21D2UFB-7B
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	760mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.93nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 16V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / caja	3-UFDFN
Peso	-
País de origen	-

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