DMHC10H170SFJ-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMHC10H170SFJ-13
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	DMHC10H170SFJ-13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.9A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V
Potencia - Max	2.1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	12-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	V-DFN5045-12
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	DMHC10H170SFJ-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12	Detalles