DMHC10H170SFJ-13 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
DMHC10H170SFJ-13 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft |
Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.9A, 2.3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
160 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
9.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1167pF @ 25V |
| Leistung max |
2.1W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
12-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket |
V-DFN5045-12 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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