| Número de pieza | AOWF412 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.8A (Ta), 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
AOW10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Detalles |
|
AOW10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO262 | Detalles |
 |
AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Detalles |
|
AOW10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB | Detalles |
|
AOW11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Detalles |
|
AOW11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Detalles |
|
AOW11S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO262 | Detalles |
|
AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262 | Detalles |
|
AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO262 | Detalles |
|
AOW12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | Detalles |
