| Número de pieza | AOW12N65 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-262 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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AOW10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Detalles |
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AOW10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO262 | Detalles |
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AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Detalles |
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AOW10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB | Detalles |
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AOW11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Detalles |
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AOW11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Detalles |
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AOW11S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO262 | Detalles |
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AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262 | Detalles |
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AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO262 | Detalles |
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AOW12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | Detalles |
