PMDPB760ENX - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	PMDPB760ENX
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	-
FET-Eigenschaft	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Paket / Fall	-
Lieferantengerätepaket	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMDPB28UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	Einzelheiten
PMDPB30XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON	Einzelheiten
PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	Einzelheiten
PMDPB42UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6	Einzelheiten
PMDPB55XP,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON	Einzelheiten
PMDPB56XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6	Einzelheiten
PMDPB56XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6	Einzelheiten
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	Einzelheiten
PMDPB65UP,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118	Einzelheiten
PMDPB70EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN	Einzelheiten