| Artikelnummer | PMDPB38UNE,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
| Leistung max | 510mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | Einzelheiten |
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PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON | Einzelheiten |
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PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | Einzelheiten |
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PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | Einzelheiten |
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PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | Einzelheiten |
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PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | Einzelheiten |
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PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6 | Einzelheiten |
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PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | Einzelheiten |
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PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 | Einzelheiten |
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PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | Einzelheiten |
