BYT79B-600PJ - WeEn Semiconductors

Artikelnummer	BYT79B-600PJ
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.38V @ 15A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	60ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYT71-400A	ST	BYT71-400A ST TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
BYT71-800	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 800V 6A TO220AC	Einzelheiten
BYT77	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Einzelheiten
BYT77-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64	Einzelheiten
BYT77-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64	Einzelheiten
BYT78	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Einzelheiten
BYT78-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64	Einzelheiten
BYT78-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64	Einzelheiten
BYT79-500	PHI	BYT79-500 PHI TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
BYT79-500,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 14A TO220AC	Einzelheiten