BYT77-TAP - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	BYT77-TAP
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Avalanche
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 3A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	SOD-64, Axial
Lieferantengerätepaket	SOD-64
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYT01-400	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 400V 1A DO15	Einzelheiten
BYT01-400RL	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 400V 1A DO15	Einzelheiten
BYT03-400	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD	Einzelheiten
BYT03-400RL	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD	Einzelheiten
BYT08-400-220M	SEME-LAB	DUAL FAST RECOVERY RECTIFIER IN TO220 METAL PACKAGE FOR HI.REL APPLICATIONS	Einzelheiten
BYT08P	VISHAY	Fast Recovery Silicon Power Rectifier	Einzelheiten
BYT08P-1000	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC	Einzelheiten
BYT08P-400	STMicroelectronics	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYT08P1000	VISHAY	Fast Recovery Silicon Power Rectifier	Einzelheiten
BYT08P1000A	VISHAY	Fast Recovery Silicon Power Rectifier	Einzelheiten