VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GT50TP120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
VS-GT50TP120N PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
379 pcs
Referenzpreis
USD 69.64/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GT50TP120N
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 405W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.24nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR VS-GT50TP120N