| Artikelnummer | VS-6ESH06-M3/86A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 40ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-6ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH01HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH01HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH02-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH02-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH02HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH02HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH06-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 600V 6A TO277A | Einzelheiten |
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VS-6ESH06-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | Einzelheiten |
