| 品番 | VS-6ESH06-M3/86A |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 6A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.8V @ 6A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 40ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5µA @ 600V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-277, 3-PowerDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-277A (SMPC) |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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VS-6ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH01HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 100V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH01HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH02-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH02-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH02HM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 200V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH02HM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH06-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 600V 6A TO277A | 詳細 |
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VS-6ESH06-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | 詳細 |
