| Artikelnummer | VS-10TTS08-M3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Aus Zustand | 800V |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1V |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 15mA |
| Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max) | 1.15V |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | 6.5A |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 10A |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 30mA |
| Aktuell - Aus Status (Max) | 1mA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 95A @ 50Hz |
| SCR-Typ | Standard Recovery |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-100BGQ015HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ030 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ030HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ045HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | Einzelheiten |
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VS-100MT060WDF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 121A 462W MTP | Einzelheiten |
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VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT | Einzelheiten |
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VS-100MT160P-P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | Einzelheiten |
