SUD19N20-90-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SUD19N20-90-E3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SUD19N20-90	VISHAY	SUD19N20-90 VISHAY DPAK(T.. New Original Stocks	Einzelheiten
SUD19N20-90-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 19A DPAK	Einzelheiten
SUD19N20-90-T4-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 19A TO252	Einzelheiten
SUD19N20-90_08	VISHAY	N-Channel 200-V (D-S) 175 ∑C MOSFET	Einzelheiten
SUD19P06-60	VISHAY	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	Einzelheiten
SUD19P06-60-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252	Einzelheiten
SUD19P06-60-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252	Einzelheiten
SUD19P06-60L-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 60V 19A TO252	Einzelheiten