| Artikelnummer | SQM120P04-04L_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13980pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 375W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N02-1M3L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | Einzelheiten |
 |
SQM120N04-1M4L_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V D-S 175C MOSFET | Einzelheiten |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N06-06_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Einzelheiten |
|
SQM120N10-09_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Einzelheiten |
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | Einzelheiten |
