SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SQM120N06-06_GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
93547 pcs
Referenzpreis
USD 1.76005/pcs
Unser Preis
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SQM120N06-06_GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SQM120N06-06_GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6495pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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