SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SQD23N06-31L_GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
36190 pcs
Referenzpreis
USD 0.7484/pcs
Unser Preis
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SQD23N06-31L_GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SQD23N06-31L_GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 37W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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