SIRA58ADP-T1-RE3

SIRA58ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIRA58ADP-T1-RE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
291595 pcs
Referenzpreis
USD 0.56465/pcs
Unser Preis
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SIRA58ADP-T1-RE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIRA58ADP-T1-RE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030pF @ 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Gewicht -
Ursprungsland -

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