品番 | SIRA58ADP-T1-RE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32.3A (Ta), 109A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3030pF @ 20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
重量 | - |
原産国 | - |