SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI7113DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
82500 pcs
Referenzpreis
USD 0.7392/pcs
Unser Preis
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SI7113DN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI7113DN-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 13.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 134 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Gewicht -
Ursprungsland -

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