SI7113DN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI7113DN-T1-GE3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
13.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
55nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1480pF @ 50V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
134 mOhm @ 4A, 10V |
Betriebstemperatur |
-50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® 1212-8 |
Paket / Fall |
PowerPAK® 1212-8 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI7113DN-T1-GE3