SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.2387/pcs
Unser Preis
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SI6968BEDQ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI6968BEDQ-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Gewicht -
Ursprungsland -

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