Artikelnummer | SI6968BEDQ-T1-E3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.2A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |