| Artikelnummer | SI5936DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Leistung max | 10.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI5933CDC | VISHAY | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
