| Artikelnummer | SI5933CDC-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 276pF @ 10V |
| Leistung max | 2.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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SI5933CDC | VISHAY | Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Einzelheiten |
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SI5933CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | Einzelheiten |
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SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | Einzelheiten |
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SI5933DC | Vishay | SI5933DC Vishay SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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SI5933DC-T1 | VISHAY | SI5933DC-T1 VISHAY SOT23-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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SI5933DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | Einzelheiten |
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SI5933DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 | Einzelheiten |
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SI5935CDC | VISHAY | SI5935CDC VISHAY 1206-8 New Original Stocks | Einzelheiten |
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SI5935CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | Einzelheiten |
