| Artikelnummer | SI1905BDH-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 630mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 4V |
| Leistung max | 357mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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