SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SI1302DL-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
172428 pcs
Referenzpreis
USD 0.1507/pcs
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SI1302DL-T1-E3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SI1302DL-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 280mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 600mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-3
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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