SI1300BDL-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI1300BDL-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
400mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.84nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
35pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±8V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
190mW (Ta), 200mW (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
850 mOhm @ 250mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
SC-70-3 |
| Paket / Fall |
SC-70, SOT-323 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI1300BDL-T1-GE3
