SI1012X-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI1012X-T1-E3 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
500mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
900mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.75nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
±6V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
250mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SC-89-3 |
Paket / Fall |
SC-89, SOT-490 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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