| Artikelnummer | IRLU110PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251AA |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRLU014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | Einzelheiten |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | Einzelheiten |
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IRLU024N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | Einzelheiten |
;;3.jpg "IRLU024NPBF") |
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