IRLU014NPBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	IRLU014NPBF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	28W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-Pak
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IRLU014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Einzelheiten
IRLU014N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK	Einzelheiten
IRLU014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK	Einzelheiten
IRLU014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK	Einzelheiten
IRLU024	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Einzelheiten
IRLU024N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Einzelheiten
IRLU024NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK	Einzelheiten
IRLU024PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK	Einzelheiten
IRLU024ZPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK	Einzelheiten
IRLU110	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	Einzelheiten