| Artikelnummer | IRFS11N50APBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 170W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRFS11N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRLPBF | VISHAY | Power MOSFET | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Einzelheiten |
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IRFS11N50ATRRPBF | VISHAY | Power MOSFET | Einzelheiten |
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IRFS17N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | Einzelheiten |
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