IRFS11N50A

IRFS11N50A - Vishay Siliconix

Artikelnummer
IRFS11N50A
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4417 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IRFS11N50A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRFS11N50A
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1423pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 6.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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