| Artikelnummer | IRF520STRL |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
|
IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Einzelheiten |
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
|
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
